BUK7E3R5-60E,127 Preise (USD) [36530Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK7E3R5-60E,127
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK7E3R5-60E,127 elektronische Komponenten. BUK7E3R5-60E,127 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK7E3R5-60E,127 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK7E3R5-60E,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK7E3R5-60E,127
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8920pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
293W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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