IXYS - IXFT16N80P

KEY Part #: K6395027

IXFT16N80P Preise (USD) [15950Stück Lager]

  • 1 pcs$2.85643
  • 30 pcs$2.84222

Artikelnummer:
IXFT16N80P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 16A TO-268.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT16N80P elektronische Komponenten. IXFT16N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT16N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT16N80P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFT16N80P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 16A TO-268
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 460W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA