Beschreibung :
GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 29A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 14mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1650pF @ 40V
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die