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ON Semiconductor - FDMS86252L

KEY Part #: K6393363

FDMS86252L Preise (USD) [134951Stück Lager]

  • 1 pcs$0.27545
  • 3,000 pcs$0.27408
Artikelnummer:
FDMS86252L
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 8-MLP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMS86252L elektronische Komponenten. FDMS86252L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMS86252L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86252L Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDMS86252L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 8-MLP
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1335pF @ 75V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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