IPW60R099CPAFKSA1 Preise (USD) [13884Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPW60R099CPAFKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 31A TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1 elektronische Komponenten. IPW60R099CPAFKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPW60R099CPAFKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPW60R099CPAFKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPW60R099CPAFKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Serie :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
255W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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