STMicroelectronics - STB11NM60-1

KEY Part #: K6415802

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    Artikelnummer:
    STB11NM60-1
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STB11NM60-1 elektronische Komponenten. STB11NM60-1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STB11NM60-1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB11NM60-1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STB11NM60-1
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
    Serie : MDmesh™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)
    Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : I2PAK
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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