TSM160N10LCR RLG Preise (USD) [214448Stück Lager]
- 1 pcs$0.17248
- Artikelnummer:
- TSM160N10LCR RLG
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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TSM160N10LCR RLG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM160N10LCR RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
73nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4431pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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