Infineon Technologies - IPI70N10SL16AKSA1

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Artikelnummer:
IPI70N10SL16AKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI70N10SL16AKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPI70N10SL16AKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4540pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 250W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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