IXYS - IXFT60N25Q

KEY Part #: K6408852

IXFT60N25Q Preise (USD) [484Stück Lager]

  • 30 pcs$5.34510

Artikelnummer:
IXFT60N25Q
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 60A TO-268.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT60N25Q elektronische Komponenten. IXFT60N25Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT60N25Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT60N25Q Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFT60N25Q
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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