ON Semiconductor - NTMFS5C612NLT1G-UIL5

KEY Part #: K6418356

NTMFS5C612NLT1G-UIL5 Preise (USD) [60484Stück Lager]

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Artikelnummer:
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5C612NLT1G-UIL5 Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTMFS5C612NLT1G-UIL5
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Ta), 235A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6660pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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