NTMFS5C612NLT1G-UIL5 Preise (USD) [60484Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTMFS5C612NLT1G-UIL5
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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NTMFS5C612NLT1G-UIL5 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Ta), 235A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6660pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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