DMN5L06WKQ-7 Preise (USD) [610692Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN5L06WKQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN5L06WKQ-7 elektronische Komponenten. DMN5L06WKQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN5L06WKQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN5L06WKQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN5L06WKQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
250mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-323
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
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