Infineon Technologies - SPP47N10L

KEY Part #: K6409428

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    Artikelnummer:
    SPP47N10L
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 47A TO-220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPP47N10L elektronische Komponenten. SPP47N10L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPP47N10L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPP47N10L Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SPP47N10L
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
    Serie : SIPMOS®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 47A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 2mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 135nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 175W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PG-TO220-3-1
    Paket / fall : TO-220-3

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