Artikelnummer :
ZXMN10A09KTC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1313pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
2.15W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63