IRF6619TR1PBF Preise (USD) [55206Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRF6619TR1PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6619TR1PBF elektronische Komponenten. IRF6619TR1PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6619TR1PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF6619TR1PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6619TR1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
57nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5040pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ MX
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric MX
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