NVMFS6B25NLWFT1G Preise (USD) [3078Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFS6B25NLWFT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS6B25NLWFT1G elektronische Komponenten. NVMFS6B25NLWFT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS6B25NLWFT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFS6B25NLWFT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFS6B25NLWFT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Ta), 33A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
905pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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