STH260N6F6-6 Preise (USD) [36604Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STH260N6F6-6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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STH260N6F6-6 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STH260N6F6-6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
11800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
H2PAK-6
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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