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- Artikelnummer:
- BSO211PNTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO211PNTMA1 elektronische Komponenten. BSO211PNTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO211PNTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO211PNTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO211PNTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
P-DSO-8
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