IXFA7N100P Preise (USD) [24024Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFA7N100P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFA7N100P elektronische Komponenten. IXFA7N100P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFA7N100P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFA7N100P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFA7N100P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
Serie :
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2590pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXFA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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