IXFA18N60X Preise (USD) [17960Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFA18N60X
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFA18N60X elektronische Komponenten. IXFA18N60X kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFA18N60X haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFA18N60X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFA18N60X
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1440pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
320W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AA
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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