TSM4ND65CI Preise (USD) [82036Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TSM4ND65CI
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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TSM4ND65CI Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM4ND65CI
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
596pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
41.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ITO-220
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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