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ON Semiconductor - FDT55AN06LA0

KEY Part #: K6407885

[819Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDT55AN06LA0
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDT55AN06LA0 elektronische Komponenten. FDT55AN06LA0 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDT55AN06LA0 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDT55AN06LA0 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDT55AN06LA0
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.1A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 46 mOhm @ 11A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 8.9W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223-4
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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