IXYS - IXTA5N60P

KEY Part #: K6418647

IXTA5N60P Preise (USD) [71938Stück Lager]

  • 1 pcs$0.62818
  • 50 pcs$0.62506

Artikelnummer:
IXTA5N60P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTA5N60P elektronische Komponenten. IXTA5N60P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTA5N60P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA5N60P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTA5N60P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
Serie : PolarHV™
Teilestatus : Last Time Buy
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 750pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB