ZXM62N03GTA Preise (USD) [13914Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXM62N03GTA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXM62N03GTA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXM62N03GTA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V ENHANCE SOT223
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.4A (Ta), 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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