DMT31M6LPS-13 Preise (USD) [141291Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT31M6LPS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - spezieller Zweck ...
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DMT31M6LPS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT31M6LPS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
123nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7019pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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