SISS22DN-T1-GE3 Preise (USD) [118007Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SISS22DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SISS22DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SISS22DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Ta), 90.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
44nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1870pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8S
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8S
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