BSZ035N03MSGATMA1 Preise (USD) [203904Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ035N03MSGATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ035N03MSGATMA1 elektronische Komponenten. BSZ035N03MSGATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ035N03MSGATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ035N03MSGATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ035N03MSGATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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