IXYS - IXFT52N30Q TRL

KEY Part #: K6401291

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    Artikelnummer:
    IXFT52N30Q TRL
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 300V 52A TO268.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT52N30Q TRL elektronische Komponenten. IXFT52N30Q TRL kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT52N30Q TRL haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFT52N30Q TRL Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFT52N30Q TRL
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 52A TO268
    Serie : HiPerFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 52A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 26A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-268 (IXFT)
    Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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