IPD053N06NATMA1 Preise (USD) [145004Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD053N06NATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD053N06NATMA1 elektronische Komponenten. IPD053N06NATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD053N06NATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD053N06NATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD053N06NATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 36µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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