ON Semiconductor - NVMFS6B75NLT3G

KEY Part #: K6401366

NVMFS6B75NLT3G Preise (USD) [3075Stück Lager]

  • 5,000 pcs$0.17937

Artikelnummer:
NVMFS6B75NLT3G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFS6B75NLT3G elektronische Komponenten. NVMFS6B75NLT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFS6B75NLT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6B75NLT3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NVMFS6B75NLT3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Ta), 28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.5W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Sie könnten auch interessiert sein an