FF11MR12W1M1B11BOMA1 Preise (USD) [570Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FF11MR12W1M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7950pF @ 800V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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