IXYS - IXFX44N80P

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IXFX44N80P Preise (USD) [6100Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFX44N80P
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX44N80P elektronische Komponenten. IXFX44N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX44N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX44N80P Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFX44N80P
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 198nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3

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