IXFX21N100Q Preise (USD) [5190Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX21N100Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX21N100Q elektronische Komponenten. IXFX21N100Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX21N100Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX21N100Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX21N100Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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