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- Artikelnummer:
- FDB8443
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB8443 elektronische Komponenten. FDB8443 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB8443 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB8443 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB8443
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
25A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
185nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9310pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
188W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263AB
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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