BAV100-GS18 Preise (USD) [3225988Stück Lager]
- 1 pcs$0.01147
- 10,000 pcs$0.01080
- Artikelnummer:
- BAV100-GS18
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 60V 500mW
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BAV100-GS18 elektronische Komponenten. BAV100-GS18 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BAV100-GS18 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BAV100-GS18 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BAV100-GS18
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 100mA
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Supplier Device Package :
SOD-80 MiniMELF
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Heiße Teile
- IDT06S60CHKSA1
- GP10A-5016M3/54
- 1N4006GPE-M3/73
- D740N36TXPSA1
- UF4005 BK
- JANS1N6677UR-1
- BA157GP-M3/54
- GP02-40-M3/73
- 1N4004GPE-E3/93
- RU 4DS
- VS-MBRD330TRLPBF
- SK310B/TR13
- SB10-05A3-BT
- DLA11C-TR-E
- GPA804-BP
- 1N5401-AP
- SS32HE3/57T
- SS25HE3/52T
- SS320HE-TP
- RJU6053WDPP-M0#T2
- S3GHE3/57T
- RS3BHE3/9AT
- RGP5020-E3/54
- GPP15M-E3/54
- GI917-E3/54
- FGP30D-E3/73
- MBRD835L
- MR856
- MBRS3201T3
- SIDC53D120H6X1SA3
- VS-MUR1520PBF
- 80EPS08
- S3AB-13
- FR1J-LTP
- D255K06BXPSA1
- STPSC5H12D
- RGF1D-E3/67A
- RB068LAM150TR
- RF01VM2STE-17
- LS103A-GS18