TK160F10N1L,LQ Preise (USD) [69651Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK160F10N1L,LQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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TK160F10N1L,LQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK160F10N1L,LQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
160A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10100pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-220SM(W)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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