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- Artikelnummer:
- SI5920DC-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SI5920DC-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI5920DC-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
680pF @ 4V
Leistung max :
3.12W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package :
1206-8 ChipFET™
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