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- Artikelnummer:
- CSD86311W1723
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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CSD86311W1723 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD86311W1723
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
585pF @ 12.5V
Leistung max :
1.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
12-UFBGA, DSBGA
Supplier Device Package :
12-DSBGA
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