DMNH6012SPSQ-13 Preise (USD) [120780Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMNH6012SPSQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 60V 50A POWERDI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMNH6012SPSQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMNH6012SPSQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1926pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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