Vishay Siliconix - SI7850DP-T1-GE3

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Artikelnummer:
SI7850DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7850DP-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI7850DP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : PowerPAK® SO-8

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