C3M0065100K Preise (USD) [7322Stück Lager]
- 1 pcs$5.62774
- Artikelnummer:
- C3M0065100K
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- 1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Cree/Wolfspeed C3M0065100K elektronische Komponenten. C3M0065100K kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu C3M0065100K haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
C3M0065100K Produkteigenschaften
Artikelnummer :
C3M0065100K
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET
Serie :
C3M™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 15V
Vgs (Max) :
+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
660pF @ 600V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
113.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-4L
Paket / fall :
TO-247-4
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