Diodes Incorporated - DMN3018SSD-13

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DMN3018SSD-13 Preise (USD) [417803Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMN3018SSD-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3018SSD-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN3018SSD-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 697pF @ 15V
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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