Artikelnummer :
DMN6070SSD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
588pF @ 30V
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO