ON Semiconductor - NIF9N05CLT3G

KEY Part #: K6411384

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    Artikelnummer:
    NIF9N05CLT3G
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NIF9N05CLT3G elektronische Komponenten. NIF9N05CLT3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NIF9N05CLT3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NIF9N05CLT3G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : NIF9N05CLT3G
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 59V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±15V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 35V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.69W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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