Diodes Incorporated - DMN2010UDZ-7

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DMN2010UDZ-7 Preise (USD) [217086Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMN2010UDZ-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2010UDZ-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN2010UDZ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 24V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2665pF @ 10V
Leistung max : 700mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2535-6

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