ON Semiconductor - FCU900N60Z

KEY Part #: K6401400

FCU900N60Z Preise (USD) [65859Stück Lager]

  • 1 pcs$0.47663
  • 10 pcs$0.42144
  • 100 pcs$0.31498
  • 500 pcs$0.24426
  • 1,000 pcs$0.19284

Artikelnummer:
FCU900N60Z
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCU900N60Z elektronische Komponenten. FCU900N60Z kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCU900N60Z haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCU900N60Z Produkteigenschaften

Artikelnummer : FCU900N60Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 710pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA