FDG327N Preise (USD) [338735Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDG327N
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDG327N elektronische Komponenten. FDG327N kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDG327N haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDG327N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDG327N
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
423pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
420mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-88 (SC-70-6)
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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