IXYS - IXTQ160N10T

KEY Part #: K6417412

IXTQ160N10T Preise (USD) [30336Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTQ160N10T
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTQ160N10T elektronische Komponenten. IXTQ160N10T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTQ160N10T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ160N10T Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTQ160N10T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 430W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3P
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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