TPH3205WSBQA Preise (USD) [4321Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPH3205WSBQA
- Hersteller:
- Transphorm
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET N-CH 650V 35A TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TPH3205WSBQA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPH3205WSBQA
Hersteller :
Transphorm
Beschreibung :
GANFET N-CH 650V 35A TO247
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247-3
Paket / fall :
TO-247-3
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