DMN1054UCB4-7 Preise (USD) [325631Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1054UCB4-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN1054UCB4-7 elektronische Komponenten. DMN1054UCB4-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN1054UCB4-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN1054UCB4-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1054UCB4-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
908pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
740mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X1-WLB0808-4
Paket / fall :
4-XFBGA, WLBGA
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