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- Artikelnummer:
- BSS119NH6433XTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSS119NH6433XTMA1 elektronische Komponenten. BSS119NH6433XTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS119NH6433XTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSS119NH6433XTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS119NH6433XTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20.9pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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